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厂商型号

IPB049N06L3 G 

产品描述

MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

内部编号

173-IPB049N06L3-G

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:73
最小起订量:1
美国加州
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IPB049N06L3 G产品详细规格

规格书 IPB049N06L3 G datasheet 规格书
IPx049,52N06L3 G
文档 Multiple Devices 26/Jul/2012
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 80A
Rds(最大)@ ID,VGS 4.7 mOhm @ 80A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.2V @ 58µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 50nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 8400pF @ 30V
功率 - 最大 115W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 PG-TO263-2
包装材料 Tape & Reel (TR)

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